Samsung annonce la mémoire graphique GDDR6W ; À égalité avec HBM2

Samsung a récemment annoncé GDDR6W, une toute nouvelle norme de mémoire à large bande passante qui, selon elle, est capable de vitesses et de performances comparables à la mémoire HBM2. Le géant coréen de l’électronique affirme que la nouvelle mémoire a été développée pour répondre aux attentes de production de matériel capable d’exécuter certaines applications de manière transparente, telles que le lancer de rayons et les réalités virtuelles.

La mémoire graphique GDDR6W de Samsung est basée sur le Fan-Out Wafer-Level Packaging de la marque, ou FOWLP. De plus, il prétend également qu’il s’agit de la première DRAM graphique de nouvelle génération de l’industrie à être développée avec ladite technologie, doublant essentiellement à la fois la bande passante et la capacité de la mémoire.

« Depuis son lancement, GDDR6 a déjà connu des améliorations significatives. En juillet dernier, Samsung a développé une mémoire GDDR6 à 24 Gbit/s, la DRAM graphique la plus rapide de l’industrie. GDDR6W double cette bande passante (performances) et cette capacité tout en conservant la même taille que GDDR6. Grâce à l’empreinte inchangée, les nouvelles puces de mémoire peuvent facilement être placées dans les mêmes processus de production que les clients ont utilisés pour GDDR6, avec l’utilisation de la technologie de construction et d’empilement FOWLP, réduisant le temps et les coûts de fabrication.

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Une autre amélioration offerte par GDDR6W est la réduction de sa taille globale. Par rapport aux processus de puce actuels, FOWLP permet à Samsung de monter directement la puce mémoire sur une plaquette de silicium, au lieu du PCB. Cela signifie que la nouvelle mémoire est environ 36 % plus fine que le format GDDR6 actuel, bien qu’elle offre les mêmes propriétés thermiques et le double du nombre de performances pour les E/S étendues par package unique.

Selon son blog officiel, Samsung affirme que la technologie GDDR6W nouvellement développée peut prendre en charge la bande passante de niveau HBM au niveau du système. HBM2E a une bande passante au niveau du système de 1,6 To/s basée sur des E/S au niveau du système 4K et un taux de transmission de 3,2 Gpbs par broche. GDDR6W, d’autre part, peut produire une bande passante de 1,4 To/s basée sur 512 E/S au niveau du système et un taux de transmission de 22 Gpbs par broche. De plus, puisqu’il réduit le nombre d’E/S à environ 1/8 par rapport à l’utilisation de HBM2E, il supprime la nécessité d’utiliser des micro bosses, ce qui le rend plus rentable sans avoir besoin d’une couche intercalaire.

Quant à savoir quand nous pouvons nous attendre à voir la mémoire GDDR6W devenir la norme, Samsung dit qu’il étendra l’application de son nouveau format de mémoire aux appareils à petit facteur de forme, ainsi qu’aux accélérateurs hautes performances dans les applications AI et HPC, mais n’a pas spécifié un calendrier réel ou feuille de route.

(Source : Samsung)

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